С 20 по 23 сентября в Орле прошли два масштабных события – V Международная конференция «Наука будущего» и VIII Всероссийский научный форум «Наука будущего – наука молодых». В заседаниях секций приняли участие студенты ВГУ.
Министерство науки и высшего образования РФ организовало научные мероприятия в рамках Десятилетия науки и технологий. В научном форуме приняли участие и студенты Воронежского государственного университета: София Баталова, Павел Ярощук и Алина Тинаева.
София Баталова и Павел Ярощук выступили с докладами в секции «Информационные технологии и математика». Тема проекта Софии – «Дифференциально-разностные системы с параметром для параболического уравнения в классе функций, суммируемых на сети и сетеподобной области». Павел подготовил доклад на тему «Разработка алгоритмов построения карты объектов для беспилотного транспорта». Алина Тинаева приняла участие в работе секции «Химия и химические технологии. Тема её исследовательской работы – «Кинетика электроосаждения цинк-никелевых сплавов из разбавленных аммиачно-хлоридных электролитов».
– Важность моего проекта, с одной стороны, заключается в использовании аммиачно-хлоридных растворов с пониженными концентрациями компонентов, содержащих органическую добавку, что позволит снизить нагрузку на окружающую среду при сохранении противокоррозионных свойств покрытия. Другая сторона моего исследования – использование особого подхода, позволяющего разделить скорости осаждения цинка и никеля в сплаве и учитывающего вклад побочной реакции выделения водорода. Результаты исследования позволят оптимизировать условия получения цинк-никелевых покрытий с заданным составом и свойствами. Это можно использовать в различных областях российской и мировой промышленности, специализирующихся на производстве противокоррозионных покрытий, электрокатализаторов на основе нанопористого никеля. Кроме того, подход по разделению скоростей осаждения металлов в сплаве, рассмотренный в данной работе, можно применить и к другим гальваническим бинарным системам, – поделилась Алина.
Фото: пресс-служба
Орловского госуниверистета имени И.С. Тургенев
